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삼성전자, 엔비디아 GTC에서 HBM4E 공개… 엔비디아 협력 강조
삼성전자가 엔비디아 GTC 2026에서 HBM4의 다음 세대인 HBM4E를 처음 전시한다고 발표했습니다. 핀당 16Gbps, 대역폭 4.0TB/s이며, 차세대 적층 기술 HCB도 함께 공개했습니다.
핵심 사실
- 삼성은 엔비디아 GTC 2026에서 HBM4E를 처음 전시한다고 발표했으며, HBM4E는 핀당 16Gbps, 대역폭 4.0TB/s라고 밝혔습니다.
- 삼성에 따르면 당시 6세대 HBM4는 이미 양산 중이며 엔비디아 Vera Rubin 플랫폼용으로 설계됐고, 지속 처리 속도 11.7Gbps에 최대 13Gbps까지 높일 수 있습니다.
- 하이브리드 구리 본딩(HCB)도 공개했으며, 차세대 HBM에서 16단 이상 적층과 기존 TCB 대비 열저항 20% 이상 감소를 목표로 한다고 설명했습니다.
- 삼성은 엔비디아와 반도체 연구개발·설계·제조 전반의 전략적 AI 협력을 강조했습니다.
왜 중요한가 · AI마중 해석
HBM4가 이미 상용화 단계라면, HBM4E는 그 다음 세대의 속도·대역폭 목표를 보여 주는 로드맵 성격의 공개입니다. 핀당 속도가 HBM4의 11.7Gbps에서 16Gbps로 올라가는 방향을 제시했습니다. HBM4E의 양산·출하 시점은 이번 발표에 나오지 않았고, 수치는 삼성 발표 기준입니다.
그래서 나한테는?
소비자 제품이 바로 바뀌지는 않습니다. 국내 반도체 업계 입장에서는 HBM 세대 경쟁이 속도와 적층 기술 양쪽에서 이어지고 있다는 신호입니다.
SOURCE공식 원문 + 추가 출처
- 원문 · 공식Samsung Unveils HBM4E, Showcasing Comprehensive AI Solutions, NVIDIA Partnership and Vision at NVIDIA GTC 2026Samsung Newsroom · news.samsung.com · 발표 2026.03.17
- 추가 · 공식Samsung and AMD Expand Strategic Collaboration on Next-Generation AI Memory SolutionsSamsung Newsroom · news.samsung.com · 발표 2026.03.18
수집 2026.10.01 · 정리 2026.10.01 · 수정 2026.10.06 · 원문 본문은 옮기지 않았습니다.